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作者: 谢莉琳

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物理所对一维碳纳米管的物性研究获进展


  一维碳纳米管由于其不仅具有独特的物理性质,同时也有着潜在的应用前景,关于一维碳纳米管的物理性质研究,一直受到人们广泛的关注。最近物理所博士生钟定勇和郭建东,分别与王恩哥研究员及其合作者在这一领域做了进一步探讨。

他们与中山大学的研究组合作,对通过化学汽相沉积生长在Si针尖上的单根碳纳米管的电子场发射性质进行了理论和实验研究,发表在Phys. Rev. Lett. 93,075501(2004))。这项研究发展了一种新的理论方法,成功地预测了场发射过程中的临界场强,发射电流密度和温度,并在进一步的实验中得到了证明。 另外,他们与香港科技大学的研究组合作,利用近场光学扫描显微镜(NSOM)对单壁碳纳米管的光荧光特性进行了系统地研究(Phys. Rev. Lett. 93,017402(2004))。结果发现由这种单壁碳纳米管产生的光荧光具有很强的偏振性。通过与吸收谱和Raman谱比较,最后确定处于2.6eV和2.7eV的PL峰分别来自(3,3)和(4,2)的纳米管。

这两项工作对深入研究一维碳纳米管的物理性质很有帮助。详细结果已分别于2004年7月和8月发表在Phys. Rev. Lett. 93,017402(2004)和 Phys. Rev. Lett. 93,075501(2004)上。

 

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